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Micron推出移动设备的相变存储器

作者:东泛彩票app 发布时间:2019年09月04日 浏览: 3874

相变存储器,缩写PCM以及过去六年中作为NAND闪存的潜在替代品进行了讨论,最终准备好迎接黄金时段吗?

固态半导体制造商美光科技7月17日声称是业界第一家为移动设备提供大量45纳米相变存储芯片的公司。这家总部位于爱达荷州博伊西的公司的45纳米PCM专门用于高端功能型手机,其长期策略是为智能手机和平板电脑制造这些手机。

新款处理器(晶圆图片)在左侧)在多芯片封装中具有1G位PCM和512M位LPDDR2(低功耗双倍数据速率存储器,也称为移动DDR或MDDR)。

Micron及其Numonyx部门-其中美光科技公司2010年收购了12.7亿美元-是向IBM推出PCM的主要供应商,IBM也在其自有处理器的研发上投入了大量资金.IBM最后一次注意到2011年的技术进步。英特尔也位居榜首致力于生产这种硬件的公司。

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PCM技术指的是硅芯片可以在一段时间内每个单元存储多位数据,而不会损坏数据。自从IBM近10年前开始这个项目以来,这个问题一直困扰着发展。

以前,每个PCM单元都可以容纳一个数据位,甚至那些在不可预测的时间内丢失或损坏。最新的开发更新可以产生固态芯片,可以存储与NAND闪存盘(现在容量高达1TB以上)一样多的数据,但具有大约100倍的数据移动速度,可以延长使用寿命跨越。

NANDFlash的固有周期限制

NAND闪存固有地因所谓的擦除-写周期限制而变慢。这是因为NAND闪存要求首先标记数据。在将新数据写入磁盘之前进行删除,这会大大减慢进程.PCM不需要擦写周期。因此,额外的擦除-写入活动会导致NAND闪存性能降低更快,并且随着时间的推移会磨损磁盘。

通常,NAND闪存盘的使用寿命范围从消费类磁盘中的5,000到10,000个写入周期到企业级磁盘中的100,000个周期。相比之下,PCM可以处理高达约500万个写入周期。

Micron,IBM和英特尔认为PCM还提供增强的启动时间并简化软件开发,得益于其固有的速度。Micron表示,它还具有低功耗和高可靠性。此外,LPDDR2和PCM之间的设计优化共享接口完全符合JEDEC(联合电子器件工程委员会)行业标准,Micron说。

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